CY7C1565KV18-550BZXC

CY7C1565KV18-550BZXC, 72-Mbit QDR® II+ SRAM Cypress elektronik bileşenlerinin Dört Kelimeli Burst Mimarisi (2.5 Döngü Okuma Gecikmesi). CY7C1565KV18-550BZXC, bir okuma portu ve bir yazma portu ile donatılmış senkronize ardışık düzen Burst SRAM'dir. Okuma bağlantı noktası okuma işlemlerine ve yazma bağlantı noktası yazma işlemlerine ayrılmıştır.

Veri, yazma portu üzerinden SRAM'a akar ve okuma portu üzerinden dışarı akar. Bu cihazlar, gereken adres pinlerinin sayısını en aza indirmek için adres girişlerini çoğaltır. Ayrı okuma ve yazma bağlantı noktalarına sahip olan QDR II+, veri yolunu "dönüştürme" ihtiyacını tamamen ortadan kaldırır ve olası herhangi bir veri çekişmesini önleyerek sistem tasarımını basitleştirir. Her erişim, CY7C1565KV18-550BZXC durumunda iki saat döngüsünde dört adet 36 bitlik veri aktarımından oluşur.

Ürün Özellikleri

Tip	Ana ürün özellikleri
CY7C1565KV18-550BZXC	Ayrı bağımsız okuma ve yazma veri portları
	Yüksek bant genişliği için 550 MHz saat hızı
	Adres veri yolu frekansını azaltmak için dört kelimelik patlama
	2,5 saatlik döngü gecikmesinde mevcuttur

Ürün Açıklaması

CY7C1565KV18, QDR II+ mimarisi ile donatılmış 1.8-V senkronize ardışık düzene sahip SRAM'dir. QDR II mimarisine benzer şekilde, QDR II+ mimarisi iki ayrı bağlantı noktasından oluşur: bellek dizisine erişmek için okuma bağlantı noktası ve yazma bağlantı noktası. Okuma bağlantı noktası, okuma işlemlerini desteklemek için özel veri çıkışlarına sahiptir ve yazma bağlantı noktası, yazma işlemlerini desteklemek için özel veri girişlerine sahiptir.

Derinlik genişletme, her bir bağlantı noktasının bağımsız olarak çalışmasını sağlayan bağlantı noktası seçimleriyle gerçekleştirilir. Tüm senkron girişler, K veya K giriş saatleri tarafından kontrol edilen giriş kayıtlarından geçer. Tüm veri çıkışları, K veya K giriş saatleri tarafından kontrol edilen çıkış kayıtlarından geçer. Yazma işlemleri, çip üzerinde senkron otomatik zamanlamalı yazma devresi ile gerçekleştirilir.